光蚀刻是指使掩膜后的暴露部分通过光化学反应清除掉，往往后续还用到其它方式进步腐蚀。化学蚀刻则是指化学反应对暴露部分进行腐蚀清除。光蚀刻是一种先进的加工工艺，主要用在超大规模集成电路或纳米材料/纳米器件的制作上。
光刻包括（匀胶，曝光，显影），光刻简单理解主要是在衬底上镀一层带有图形的薄膜，图形的好坏直接影响蚀刻的形貌；蚀刻，将不需要的地方通过物理、化学冲击腐蚀以得到所需的形貌！
