锗二极管正向导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右;硅二极管正向导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右。
二极管有它的极限参数,其中有最大允许电流,超过规定值,就可能因过流而烧断pn结。还有最高反向击穿电压,超过规定范围,就会因过压而击穿。二极管的损坏,通常都与这两项参数有关。当它导通时,正向压降基本上是稳定的。