nmos,pmos传输门为什么会损失阈值电压

我来说明nmos传输高电平时的阈值损失
已知截止条件:VGS＜VTH,线性条件:VDS＜VGS－VTH,饱和条件VDS＞VGS－VTH。先画电路图，漏端接Vin输入，源端接Vout输出并联一个电容，衬底b接地，栅端接VDD。得VGS=VDD,VDS=VDD推出VDS＞VGS－VTH,NMOS管工作在饱和区，对负载电容充电，输出电压上升，源漏电压下降，当Vout=VDD－VTH时，即VGS=VDD－Vout=VTH。沟道在源处夹断nmos截止。所以nmos传输高电平有阈值损失。(漏端想传递源端的电压，但在漏端电压Vd=VDD－VTH时nmos管截止，电压不会再升高，所以存在阈值损失。)

因为每一个 MOSFET都要 Vg > Vt 才可以导通的。因此，传输门会有两个 MOSFET (PMOS与 NMOS)，以此就可以解决此问题。

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

因为每一个 MOSFET 都要 Vg > Vt 才能导通。因此，传输门会有两个 MOSFET (PMOS 与 NMOS)，以解决此问题。